基本信息
职称：高级工程师
电话：13723880212，0731-85623008
邮箱：t20080581@csuft.edu.cn,898129861@qq.com
地址：湖南省长沙市韶山南路498号中南林业科技大学计算机与信息工程学院
个人简介：
鄢永明，男，博士，高级工程师，硕士生导师。曾在世界前列的集成电路企业主持或参与多款高端集成电路芯片研发，项目资金上亿。其中一款音视频处理芯片获得巨大成功，单月出货量超过五百万。
学习经历：
1987年9月—1991年6月, 北京印刷学院电子工程系, 应用电子技术, 学士；
2003年 9月—2006年6月, 湖南大学物理与微电子科学学院, 微电子学与固体电子学，硕士；
2008年9月—2016年4月, 湖南大学物理与微电子科学学院, 电路与系统，博士。
任职情况：
1991年7月-2003年8月，湖南广播电视局，设备处, 工程师；
2005年6月-2008年8月，联发科技股份有限公司，SoC部门, 高级工程师；
2008年9月-至今，中南林业科技大学，计算机与信息工程学院，高级工程师。
主要研究方向：
片上网络，高端集成电路设计。
社会兼职：
1. 广东省工业和信息化厅科技计划项目评审专家；
2. 长期担任《Applied Surface Science》《Alloys and Compounds》、《Phase Transitions》等SCI学术期刊审稿人。
科研情况：
发表论文数十篇，以第一作者发表论文七篇，其中SCI论文4篇，EI 论文2篇。参加军科委项目一项，国家自科基金一项，主持或参加省级科研项目多项，企业重大研发项目两项。近二年主持在研的省级科研项目三项。
代表性学术成果：
（1）学术论文：
[1] Yongming Yan, C.P Yang, K. Bärner, V.V. Marchenkov, Yun Zeng*. Resistance switching properties of Cu2S film by electrochemical deposition.Applied Surface Science. 2016, 360(1):875-879（SCI期刊论文）
[2] Yongming Yan, Yang Wang, Yun Zeng*, Xiangliang Jin. Layout geometry impact on nLDMOS devices for high-voltage ESD protection. Electronics Letters，2015,51(23):1902-1904 (SCI期刊论文)
[3] Yongming Yan, Bai Sun, Dejian Ma. Resistive switching memory characteristics of single MoSe2 nanorods，Chemical Physics Letters, 2015,638(1):103-107 (SCI期刊论文)
[4] Yongming Yan,Bai Sun,DeJian Ma. Resistive switching memory of single BiMnO3+δnanorods.Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016，27(1)：512-516 (SCI期刊论文)
[5] 鄢永明，曾云*，夏雨，张国梁. 维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件.电子科技大学学报，2015,44(5):700-704（EI期刊论文）
[6] Yongming Yan, Yun Zeng*, D.W Shi. Electrical and Magnetic Transport Properties of Pr0.1Ca0.9MnO3. In: International Conference on Material Science and Application (ICMSA2015). Suzhou, june, 13-14, 2015 (EI会议论文)
[7] 鄢永明，曾云*，夏雨，张国梁. LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响. 固体电子学研究与进展，2015，35（6）：573-578（核心期刊论文）